新傲在SOI材料研究方面居國內(nèi)領(lǐng)先位置,并保持國際先進水平。
1) 2002年,新傲公司建立了國內(nèi)第一條SIMOX SOI生產(chǎn)線,并開發(fā)相關(guān)的成套工藝,研制出系列的全劑量、中等劑量和低劑量SIMOX產(chǎn)品。
2) 2005年,新傲開發(fā)出鍵合SOI材料生產(chǎn)技術(shù);同年,在結(jié)合SIMOX和鍵合技術(shù)的基礎(chǔ)上,新傲開發(fā)出具有自主知識產(chǎn)權(quán)的Simbond®技術(shù)(ZL 200510028365.6)。
3) 2008年,新傲開發(fā)出另一項同樣具有自主知識產(chǎn)權(quán)的BEST-SOI技術(shù)(ZL 200810201039.4)。
4) 2010年,新傲北區(qū)建成投產(chǎn),批量生產(chǎn)8英寸SOI/EPI產(chǎn)品。
5) 2014年,瞄準(zhǔn)RF、汽車電子市場的蓬勃發(fā)展,新傲與法國Soitec公司開展技術(shù)合作,引進注氫剝離技術(shù),并于2015年實現(xiàn)SOI產(chǎn)品的量產(chǎn)。
6) 瞄準(zhǔn)SOI器件及下一代微納電子材料的應(yīng)用,積極推進包括:高遷移率襯底材料、高k柵極介質(zhì)材料、特種 SOI材料、SOI高壓器件以及硅基光互聯(lián)等方面的研究工作。
新傲公司SOI主要專注下述領(lǐng)域:
SIMOX
Bonding
Simbond
Best SOI
Direct Si-Si Bonding
與此同時,新傲公司也致力于外延技術(shù)的發(fā)展:
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在紅外加熱筒式外延設(shè)備上開發(fā)重?fù)?/span>As襯底上的外延工藝,抑制As的自摻雜效應(yīng),生長高阻、過渡區(qū)窄的外延層
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在紅外加熱筒式外延設(shè)備上實現(xiàn)厚度和電阻率均勻性好的1um左右的BiCMOS用外延片
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雙埋層、As埋層電路襯底上高阻外延工藝開發(fā)
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全梯度和半梯度外延工藝開發(fā)并應(yīng)用到全系列FRD產(chǎn)品
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新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和SSS四種工藝,利用先進設(shè)備來制備SOI材料,以確保圓片能夠達到國際半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn),并能夠滿足當(dāng)今世界主流IC生產(chǎn)線的要求。 依靠強大而持續(xù)的技術(shù)支持,整合國產(chǎn)化襯底片良好的性價比以及強大而靈活的加工能力優(yōu)勢,向客戶提供專業(yè)化的外延服務(wù)。